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GT50M101


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 50A
Ptot 180W
TON/TOFF 350/800nS
TJ -
der GT50M101 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 900V, Ic = 50A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu GT50M101
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
GT50M101 Datenblatt (jpg):-
GT50M101 Datenblatt (pdf):-
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Ähnliche Typen: ↑GN9060E
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

GN9060E


SI N-IGBT Transistor
similar to GT50M101, see note
GFX
UCE 900V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
fT -
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Hitachi Ltd. Japan
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GT60M102,..,GT60M104
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